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产通社:我国闪存芯片行业探索出一条切实可行的发展路径

原标题:产通社:我国闪存芯片行业探索出一条切实可行的发展路径

在一片欢呼声中,长江存储4月13日成功发布了128层QLC 3D NAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并发布了128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060)。这似乎表示,长江存储已经与英特尔(Intel)、三星、美光(Micron Technology)、SK海力士一样,跻身于世界闪存芯片一线阵营

产通社:我国闪存芯片行业探索出一条切实可行的发展路径

国际大厂逐鹿QLC NAND技术

产通社数据显示,QLC是新一代3D NAND技术,QLC SSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟,使其更适用于AI计算,机器学习,实时分析和大数据中的读取密集型应用。早在去年底,三星、美光、SK海力士均发布了128层3D NAND闪存芯片,已经将NAND闪存的堆叠之争推进到了新的层级)——128层

2019年4月,英特尔推出了采用QLC 3D NAND技术的傲腾H10混合式固态盘。英特尔QLC 3D NAND固态盘(SSD)始于2018年底,主要应用于英特尔SSD 660p、SSD 665p和傲腾H10混合式固态盘存储解决方案,目前已达1000万个。

2019年8月,三星即推出了首个100+层的新一代3D NAND闪存。据三星介绍,该产品采用“通道孔蚀刻”技术,使前代96层的堆叠架构增加了约40%的存储单元。同时,三星还优化了电路设计,使其可实现最快的数据传输速度,写入操作的数据传输速度低于450μs,读取速度低于45μs。

2019年10月初,美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片出样。第四代3D NAND基于美光的RG架构,采用128层工艺,预计2020年开始商用。在“Mircon Insight2019”技术大会上,美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示,128层3D NAND如果被广泛使用,将大大降低产品每比特成本。

2019年11月,SK海力士宣布开始出样128层3D NAND闪存产品,该产品不久将开始出现在最终用户设备中。2018年,SK海力士推出了96层3D NAND产品。

相较国际大佬的128层发布,长江存储虽然晚了几个月,但绝对属于同一个“世代”,毕竟128层3D NAND需要到2020年才能大量进入企业存储市场,逐渐成为主流

长江存储在探索一条切实可行的路径

目前,英特尔在3D NAND行业处于领先地位,基于144层3D QLC闪存的SSD会在今年底出货,并且Intel准备在2021年内将整个SSD产品线都迁移到144层闪存芯片上,推出第二代3D X点存储技术。

长江存储除了研发成功上述两款128层产品,还将“与合作伙伴携手,构建定制化NAND商业生态,共同推动产业繁荣发展”,为今后3D NAND行业发展探索出一条切实可行的路径。

产通社产业分析师杨棋表示,考虑到基础工艺和量产能力,中国存储产业仍然弱小,实际差距不能用“世代”表示。作为探路者,长江存储首先必须面对的拦路虎是量产成品率、产能爬坡速度、产业生态等,其次才是与国际大厂展开竞争

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